特許
J-GLOBAL ID：200903081657672586
光半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318898
公開番号（公開出願番号）：特開2004-151590
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】光通信システムにおいて光送信器内の光変調器として用いられる光半導体装置に関し、内部的にプッシュプル駆動ができ、高速動作、低電圧駆動が可能で、他のシステムとの整合性に優れること。【解決手段】半導体基板上の高導電率層2上に互いに間隔をおいて形成された第1光導波路3第2光導波路4と、第1光導波路3と第2光導波路4の双方の光入力部に接続される分波器5と、第1及び第2光導波路3,4の双方の光出力部に接続される合波器6と、第1光導波路3上に光伝搬方向に間隔をおいて複数形成され且つ互いに電気的に接続される第1分布電極8と、第2光導波路4上に接する接続部分9を有し、高導電率層2から離れて形成され且つ光伝搬方向に沿って配置された第1接地電極11と、半導体基板1上であって高導電率層2の側方に形成され且つ高導電率層2から離れて形成された第2接地電極13を含む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され且つ少なくとも一部がドープト半導体からなる第1の高導電率層と、
前記第1の高導電率層上に形成された第1の光導波路と、
前記第1の高導電率層上で前記第1の光導波路から間隔をおいて一側方に形成された第2の光導波路と、
前記第1の光導波路と前記第2の光導波路の双方の光入力部に接続される分波器と、
前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路の双方の光出力部に接続される合波器と、
前記第1の光導波路上に光伝搬方向に間隔をおいて複数形成され且つ互いに電気的に接続される第1の分布電極と、
前記第2の光導波路上に接する接続部分を有し、前記第1の高導電率層から離れて形成され、且つ前記光伝搬方向に沿って配置された第1の接地電極と、
前記半導体基板の上であって前記第1の高導電率層の他側方に形成され且つ前記第1の高導電率層から離れて形成された第2の接地電極と
を有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA05
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079EB12
, 2H079HA15
