特許

J-GLOBAL ID：200903081661447180

強誘電体薄膜素子及びその製造方法

発明者： 櫻井 敦 ,  李 効民 ,  白露 幸祐
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015460
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297966
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 複雑な多層膜構造を必要とせずに、Si基板上にペロブスカイト型酸化物の強誘電体薄膜が形成された構造を有する強誘電体薄膜素子を効率よく製造する。【解決手段】 Si基板上にエピタキシャル成長させた、Tiの一部をAlで置換したTiN薄膜上に、金属薄膜をエピタキシャル成長させ、さらにこの金属薄膜上に、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなる強誘電体薄膜を配向成長させるとともに、TiN薄膜中のTiサイトのAl置換量をAl原子に換算して1〜30%とし、かつTiN薄膜中の酸素含有量を酸素原子に換算して5%以下とする。

請求項（抜粋）：

Si基板と、Si基板上にエピタキシャル成長させた、Tiの一部をAlで置換したTiN薄膜と、TiN薄膜上にエピタキシャル成長させた金属薄膜と、金属薄膜上に配向成長させたペロブスカイト構造を有する酸化物からなる強誘電体薄膜とを備えた強誘電体薄膜素子であって、TiN薄膜中のTiサイトのAl置換量がAl原子に換算して1〜30%であり、かつTiN薄膜中の酸素含有量が酸素原子に換算して5%以下であることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (10件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/187

FI (6件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-032170   出願人：株式会社東芝