特許
J-GLOBAL ID：200903081705270380
電界放出型冷陰極素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075455
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269931
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 電源を付加したり動作回路を複雑にすることなく、放電時に生じる過電流を制限することができ、放電破壊による短絡破壊を生じさせず、しかも高周波動作及び低消費電力化を図り、かつ、素子の温度上昇を抑制することができる電界放出型冷陰極を提供する。【解決手段】 エミッタ6下部を、p型半導体領域5で囲まれるように形成されたn型半導体領域3と、その下部にてp型半導体領域4で囲まれるように形成されたn型半導体領域2と、さらにその下部に形成されたn型半導体領域1との3つのn型半導体領域に分け、n型半導体領域2の断面積をn型半導体領域3の断面積よりも小さくし、それにより、3つのn型半導体領域からなるn型領域をくびれた形状とする。
請求項（抜粋）：
基板の一主体に形成された第1のn型半導体領域と、該第1のn型半導体領域上に、前記第1のn型半導体領域と底辺で電気的に接続され、周辺とは電気的に分離されて形成された第2のn型半導体領域と、該第2のn型半導体領域上に、前記第2のn型半導体領域と底辺で電気的に接続され、周辺とは電気的に分離されて形成された第3のn型半導体領域と、先鋭な先端を具備し、前記第3のn型半導体領域上に少なくとも1つ配置されたエミッタとを有し、該エミッタから電子が放出される電界放出型冷陰極素子において、前記第2のn型半導体領域及び前記第3のn型半導体領域が前記基板と平行な面で切断された場合に、前記第2のn型半導体領域の断面積は、前記第3のn型半導体領域の断面積よりも小さなことを特徴とする電界放出型冷陰極素子。
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 1/30 S
