特許

J-GLOBAL ID：200903081718614320

窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： 幡 俊雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-145584
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091862
出願日： 2007年05月31日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】製造歩留まりおよび信頼性を向上することができる窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】透明導電体と、透明導電体上に順次積層された、第1導電型窒化物半導体層と、発光層と、第2導電型窒化物半導体層と、を含む、窒化物半導体発光素子である。また、第1透明導電体と、第1透明導電体上に順次積層された、金属層と、第2透明導電体と、第1導電型窒化物半導体層と、発光層と、第2導電型窒化物半導体層と、を含む、窒化物半導体発光素子である。また、これらの窒化物半導体発光素子の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明導電体と、前記透明導電体上に順次積層された、第1導電型窒化物半導体層と、発光層と、第2導電型窒化物半導体層と、を含む、窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041FF16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-148470   出願人：日亜化学工業株式会社