スパッタターゲット及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-248065
公開番号（公開出願番号）：特開平7-102367
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体装置の製造におけるスパッタプロセス中に発生する異常放電を防止し、異物の発生を低減することが可能な技術を提供する。【構成】半導体装置の製造におけるスパッタプロセスに用いるスパッタターゲット1の外周部の面取り部分を滑らかな曲面にする。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造におけるスパッタプロセスに用いるスパッタターゲットにおいて、前記スパッタターゲットの外周部の面取り部分を滑らかな曲面にしたことを特徴とするスパッタターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

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