半導体モジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-026025
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216641
出願日： 2005年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】一対の金属電極による両面放熱構造をなし,両金属電極間の隙間が狭く,封止樹脂の充填量が少ない半導体モジュールを提供すること。【解決手段】半導体モジュール100は,エミッタ電極1と,コレクタ電極2と,両電極に挟み込まれた半導体素子10とを有している。また,半導体モジュール100には,凹カットによって形成された切欠き11からなる収容スペース12が設けられている。さらに,この収容スペース12内にボンディングワイヤ4を配置している。これにより,エミッタ電極1とボンディングワイヤ4との接触を回避しつつ,エミッタ電極1とコレクタ電極2との隙間を狭くすることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体素子と,前記半導体素子の一方の面側に位置する第1金属電極と,前記半導体素子群の他方の面側に位置し,前記半導体素子を挟んで前記第1金属電極と対向する第2金属電極とを備えた半導体モジュールにおいて, 前記半導体素子と接合し,前記第1金属電極に向けて湾曲するワイヤを有し, 前記第1金属電極内には,ワイヤの頂上部を収容する収容スペース部が設けられていることを特徴とする半導体モジュール。

IPC (1件)：

H01L 23/34

FI (1件)：

H01L23/34 B

Fターム (3件)：

5F036AA01 , 5F036BB01 , 5F036BE01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-196140 出願人：株式会社デンソー

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