半導体装置、周辺配線並びにそれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015480
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326518
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、下地絶縁膜とAu配線層との密着性を高めつつ、Au配線層の低抵抗性を維持することのできる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体素子が形成されたGaAs基板(1)上の下地絶縁膜(2)の所定部分にはTiW層(3)が形成され、その上にAu配線層(4)が形成されて各素子の配線がなされている。この配線構造によって、下地絶縁膜(2)とAu配線層(4)との密着性が確保され、しかもTiW層(2)は400°Cの高温までAu配線層(4)と反応せずにバリアメタルとして働くので、Au配線層(4)の配線抵抗の低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：