半導体装置とその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-162830
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347367
出願日： 2004年06月01日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】トレンチ84、86の側面に沿ってp+型ボディ拡散領域52の有無を作り分けるのが面倒であった。【解決手段】 n-型ドリフト領域26の表面に所定の厚みでマスク材82を形成する工程と、側壁にp+型ボディ拡散領域52を形成するトレンチ形成部では幅広にマスク材82を除去し、側壁にp+型ボディ拡散領域52を形成しないトレンチ形成部では幅狭にマスク材82を除去する工程と、マスク材82の開口から異方性エッチングしてn-型ドリフト領域26内にトレンチ84、86を形成する工程と、マスク材82の厚みによって、幅狭トレンチ部86では側壁が遮蔽され、幅広トレンチ部84では側壁が露出する角度からイオンを注入する工程を備えている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

トレンチを画定する側壁の一部にはイオン注入領域が形成されており、トレンチを画定する側壁の残部にはイオン注入領域が形成されていない半導体装置の製造方法であり、半導体基板の表面に所定の厚みでマスク材を形成する工程と、側壁にイオン注入領域を形成するトレンチ形成部では幅広にマスク材を除去し、側壁にイオン注入領域を形成しないトレンチ形成部では幅狭にマスク材を除去する工程と、マスク材の開口から異方性エッチングして半導体基板にトレンチを形成する工程と、マスク材の厚みによって、幅狭トレンチ部では側壁が遮蔽され、幅広トレンチ部では側壁が露出する角度からイオンを注入する工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (11件)：

H01L21/76 , H01L21/265 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/082 , H01L27/12 , H01L29/732 , H01L29/74 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (11件)：

H01L21/76 L , H01L27/12 F , H01L29/78 621 , H01L29/78 301D , H01L29/78 301R , H01L29/72 P , H01L27/08 101B , H01L29/91 A , H01L29/74 G , H01L21/265 R , H01L21/265 V

Fターム (84件)：

5F003AP06 , 5F003AZ03 , 5F003BA25 , 5F003BA27 , 5F003BA91 , 5F003BA93 , 5F003BA96 , 5F003BA97 , 5F003BC05 , 5F003BC08 , 5F003BH10 , 5F003BJ01 , 5F003BN01 , 5F003BP22 , 5F003BZ01 , 5F003BZ02 , 5F003BZ04 , 5F005AE07 , 5F005AH01 , 5F005AH02 , 5F005BB02 , 5F005CA02 , 5F005CA04 , 5F032AA06 , 5F032AA16 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA77 , 5F032AC01 , 5F032BA01 , 5F032BA02 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032CA19 , 5F032CA21 , 5F032CA24 , 5F032CA25 , 5F032DA03 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F032DA71 , 5F032DA77 , 5F032DA78 , 5F082AA02 , 5F082AA35 , 5F082BA04 , 5F082BA05 , 5F082BA06 , 5F082BA11 , 5F082BA22 , 5F082BA47 , 5F082BC03 , 5F082DA10 , 5F082EA09 , 5F110AA04 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG60 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ17 , 5F140AA25 , 5F140AB01 , 5F140AC21 , 5F140AC22 , 5F140AC24 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BH30 , 5F140BH47 , 5F140BH50 , 5F140CB04 , 5F140CB10 , 5F140CF00

引用特許：

出願人引用 (1件)

バイポーラトランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-223767 出願人：富士通株式会社

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