特許
J-GLOBAL ID：200903081805693172
整流ゲートを有する三端子ゲート制御半導体スイッチング・デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-518113
公開番号（公開出願番号）：特表平9-508492
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】炭化珪素スイッチング・デバイスは珪素および炭化珪素の複合基板内に三端子の相互接続した珪素MOSFETおよび炭化珪素MESFET(またはJFET)を具えている。三端子作動のためには、炭化珪素MESFETのゲート電極を珪素MOSFETのソース領域に電気的に短絡させ、かつ炭化珪素MESFETのソース領域を複合基板内にて珪素MOSFETのドレインに電気的に接続する。従って、三端子制御は、MOSFETのソースおよびゲート電極と、炭化珪素MESFET(またはJFET)のドレインとによって行われる。スイッチング・デバイスは常時オフに設計されているので、このデバイスは、MOSゲート電極がソース電極に短絡されるときに、正のドレイン・バイアスを阻止する。低いドレインバイアスでは、非導電性の珪素活性領域を有しているMOSFETによってドレイン・バイアスが阻止される。高いドレインバイアスは炭化珪素MESFET(またはJFET)内に空乏領域を形成することにより維持される。デバイスをターン・オンさせるには、ゲート電極を正にバイアスし、珪素活性領域内に比較的低い抵抗値の反転層チャネルを形成する。このチャネルは炭化珪素MESFET(またはJFET)のソースを珪素MOSFETのソースに電気的に接続し、これにより正のドレイン・バイアスが印加される場合にデバイスをターン・オンさせる。
請求項（抜粋）：
第1および第2の対向する面を有する半導体基板と、 絶縁ゲート電極、前記第1面における第1ソース領域および前記半導体基板内における第1ドレイン領域を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタと、 ゲート電極、前記半導体基板内における第2ソース領域および前記第2面における第2ドレイン領域を有し、前記ゲート電極および前記第2ソース領域を前記第1ソース領域および前記第1ドレイン領域にそれぞれ電気的に接続した整流ゲート電界効果トランジスタと、 前記第2面において前記第2ドレイン領域に電気的に接続したドレイン接点と、 前記第1面において前記第1ソース領域に電気的に接続したソース接点と を具えたことを特徴とする三端子ゲート制御半導体スイッチング・デバイス。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/80 V
