不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294865
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153811
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】不揮発性半導体記憶装置のメモリセルの微細化あるいは、その動作電圧の低電圧化および低消費電力化を容易にする。【構成】メモリセルを構成する浮遊ゲート型トランジスタにおいて、浮遊ゲート電極が2層構造に形成され、第1の浮遊ゲート電極の設けられている層と第2の浮遊ゲート電極の設けられている層との中間に位置する層に、第1の浮遊ゲート電極および第2の浮遊ゲート電極とは電気絶縁された第1の配線が配設され、更に制御ゲート電極が第2の配線として配設され、第1の配線がメモリセルのビット線であり、第2の配線がメモリセルのワード線4、4a、4bとなるように構成される。

請求項（抜粋）：

メモリセルを構成する浮遊ゲート型トランジスタにおいて、半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を介して設けられた第1の浮遊ゲート電極と、前記第1の浮遊ゲート電極上に層間絶縁膜を介して設けられた第2の浮遊ゲート電極とを有し、前記第1の浮遊ゲート電極と前記第2の浮遊ゲート電極とは前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔を通して電気接続され、前記第2の浮遊ゲート電極上に第2のゲート絶縁膜を介して制御ゲート電極が形成されていることを特徴とした不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-142869
特開昭62-205665
特開平2-035781

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