特許
J-GLOBAL ID：200903081813857281
発光ダイオード素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川崎 勝弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055662
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220170
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 発光効率を改善した発光ダイオード素子を提供すること。【解決手段】 サファイア基板1の上にGaNからなる低温バッファ層2を形成し、その上にはn型層3を形成する。4は、発光層となるInGaN系化合物半導体からなる活性層、5はp型層で、サファイア基板1上には、n型層3と、発光層となる活性層4と、p型層5のGaN系化合物半導体層が積層されている。6aは発光層に均一な電流を供給するためにp型層5の上に形成される電流拡散膜、7はn側電極、8はp側電極である。電流拡散膜6aは導電性でしかも光の反射率の高い金属で形成する。発光ダイオード素子11は、サファイア基板1側から発光層の出力光Eが放射されるように回路基板に実装し、電流拡散膜6aで反射された反射光Rもサファイア基板1から放射される。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に発光層が形成されるGaN系化合物半導体層を積層し、その上に電流拡散膜を形成した発光ダイオード素子において、前記電流拡散膜を導電性でかつ光の反射率が大きな金属で形成し、発光層の出力光を電流拡散膜で反射させた反射光と共にサファイア基板側から放射されるように回路基板に実装したことを特徴とする発光ダイオード素子。
引用特許：
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