特許
J-GLOBAL ID：200903091821560072
電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345585
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186599
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】p型族窒化物半導体を有する光電子装置の光電気特性を向上する。【解決手段】p型窒化物半導体層に銀層を備え、該銀層が電極として機能するとともに短波長光の光透過層あるいは反射層として機能するようにしている。厚さ20nmより薄くして透過率の高い透明p電極としたり20nmより厚くして反射率の高い反射p電極としている。上記銀の機械的、電気的特性とを向上するため金属や誘電体の安定化層で銀層を覆うのが好ましい。また透過率をより高めるため誘電体の安定化層の選択がなされ光学整合層をかねるようにできる。
請求項（抜粋）：
基板と該基板上のn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上の窒化物半導体からなる活性層と、活性層上のp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上の銀層と、を備えたLED部材。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
