半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085192
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】メモリーセルの面積をより縮小する。【構成】 1トランジスタ、1キャパシタのメモリーセルを有する半導体装置において、キャパシタ上にリング状のトランジスタ電極1を形成する。

請求項（抜粋）：