特許
J-GLOBAL ID：200903081830534100
スピンフィルタ効果素子及びそれを用いた磁気デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平山 一幸
, 海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-190610
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039672
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】高抵抗の強磁性体をトンネル障壁に用い、室温かつ低外部磁界で、非常に大きなTMRを有するスピンフィルタ効果素子を提供する。【解決手段】非磁性層からなる第1の電極11と、第2の電極13と、電極の間に挿入されるマグネタイトを除く高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜12とからなり、高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜12は、電子に対するトンネル障壁として作用し、第2の電極13が少なくとも強磁性層から構成される。室温において、低磁界で非常に高い磁気抵抗変化率が得られる。磁気デバイスに使用すれば、各種高感度の磁界センサ,高感度磁気ヘッド,信号電圧の大きいMRAMなどを提供できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非磁性層からなる第1の電極と、強磁性層からなる第2の電極と、該電極の間に挿入されるマグネタイトを除く高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜と、からなり、
上記高抵抗の強磁性スピネルフェライト膜が、電子に対するトンネル障壁として作用することを特徴とする、スピンフィルタ効果素子。
IPC (7件)：
H01L43/08
, G01R33/09
, G11B5/39
, H01F10/20
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01F10/20
, H01F10/32
, H01L43/10
, G01R33/06 R
, H01L27/10 447
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5D034BA03
, 5E049AB04
, 5E049AC05
, 5F083FZ10
