特許

J-GLOBAL ID：200903078125128569

磁性材料、この磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子、およびこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイス

発明者： 黒岩 丈晴 ,  長永 隆志 ,  高田 裕 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  猪俣 浩一郎
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-028508
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229614
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 新しいハーフメタルを用いた磁性材料を提供し、これを用いて磁気抵抗効果素子を製作することによって、高いトンネル磁気抵抗効果が得られる磁気抵抗効果素子を提供し、さらにはこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイスを提供する。【解決手段】 強磁性体からなる固定層3と、その固定層の上に形成された絶縁層4と、その絶縁層の上に形成された強磁性体からなるフリー層5とを備え、これら固定層3とフリー層5のいずれかまたは両方が、MxFe3-xO4で表わされるスピネル構造を有する金属酸化物からなり、MはZnまたはMnのいずれかであり、かつxは0 請求項（抜粋）：

金属酸化物を含む磁性材料であって、前記金属酸化物は、一般式MxFe3-xO4で表わされるスピネル構造を有し、MはZnまたはMnのいずれかであり、かつxは0 IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/20 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/20 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (9件)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA02 ,  5E049AB04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (6件)

• トンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-350925   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 磁気抵抗素子と磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-172062   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
• スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-361955   出願人：アルプス電気株式会社
• 固定磁気ディスクおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-333792   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平1-122929
  
• 特開平1-122929
  

引用文献：

審査官引用 (2件)

• "Giant Room-Temperature Magnetoresistance in Polycrystalline Zn0.41Fe2.59O4 with α-Fe2O3 Grain Boun
• 磁性体ハンドブック, 19750630, 初版, P.615