特許

J-GLOBAL ID：200903081861320974

InGaN層を有する半導体ウエハ及びその製造方法並びにそれを具備する発光素子

発明者： 柴田 真佐知 ,  古屋 貴士 ,  海野 恒弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107956
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293678
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 青色発光素子に有用な、結晶性の良いInGaN層を有する半導体ウエハと、その半導体ウエハを気相成長法で簡便かつ再現性良く成長させることのできる製造方法を提供する。【解決手段】 InGaN層13を液滴ができない程度の低温で成長させ、そのままではアモルファス状である結晶構造を、InGaN層13の成長終了後、その成長温度よりも高い温度で熱処理することにより、下地の結晶層11と結晶方位が揃うようにInGaN層13を固相成長させる。

請求項（抜粋）：

Ga<SB>1-a </SB>Al<SB>a </SB>N(0≦a<1)層上にIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x<0.5)層を積層したInGaN層を有する半導体ウエハにおいて、上記InGaN層を、その全部又は一部がアモルファス状の結晶構造からなるように900°C以下の低温で成長させた後、その成長温度よりも高い温度で熱処理して、上記アモルファス状の結晶構造部分を、固相成長により再結晶化させたことを特徴とするInGaN層を有する半導体ウエハ。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-341880   出願人：シャープ株式会社