特許
J-GLOBAL ID：200903022119562707

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
湯浅 貴之

湯浅 貴之 について

, 
猪口 和彦

猪口 和彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341880
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186403
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 Inを含む化合物半導体膜と、Inを含まない化合物半導体膜とのへテロ構造を有し、ヘテロ接合界面での変質や転位等が少なく、特性の良好な半導体発光素子101を得る。【解決手段】 半導体積層構造101aを構成する、InGaNからなる第1の化合物半導体層12,14と、AlGaNまたはGaNからなる第2の化合物半導体層13とを、有機ラジカルによるアシストを利用して成長した構造とした。
請求項（抜粋）：
Ga、Al、及びInのうち所要のものと窒素との化合物からなる複数種類の半導体層を有する半導体発光素子であって、該半導体層として、InGaNからなる第1の化合物半導体層と、AlGaNまたはGaNからなる第2の化合物半導体層とを含む半導体積層構造を備え、該第1及び第2の化合物半導体層は、有機金属をIII族原料とし、NH3をV族原料とし、熱により分解してラジカル状態になる有機原料を有機ラジカル源とする有機金属気相成長処理により形成してなるものである半導体発光素子。
IPC (5件)：
H01S 3/18 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (5件)：
H01S 3/18 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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