特許

J-GLOBAL ID：200903081864401134

半導体装置及びその製造方法

発明者： 玉岡 英二 ,  青井 信雄 ,  上田 哲也
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029424
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233625
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 フリンジ成分を含む隣接配線間容量を低減できると共に上下配線間容量を低減できるようにする。【解決手段】 シリコンからなる半導体基板1の上には、酸化シリコンからなる第1の絶縁膜2が形成されており、該第1の絶縁膜2の上にはアルミニウム合金からなる下層配線パターン3が形成されている。下層配線パターン3の上にはポリイミドからなる第2の絶縁膜4が形成されており、下層配線パターン3の側面及び上面と第2の絶縁膜4との間には空隙5が設けられている。第2の絶縁膜4の上にはアルミニウム合金からなる上層配線パターン6が形成されており、タングステンからなるプラグ7を介して下層配線パターン3と電気的に接続されている。また、下層配線パターン3が相対的にまばらな領域には、第2の絶縁膜4を支えるタングステンからなる支柱8が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成された配線パターンと、前記配線パターンの上に形成された第2の絶縁膜とを備え、前記配線パターンの側面及び上面と前記第2の絶縁膜との間には空隙が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/312 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-218150
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268627   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-310560