特許
J-GLOBAL ID:200903081947124426

電界放出冷陰極の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-011369
公開番号(公開出願番号):特開平8-273534
出願日: 1996年01月26日
公開日(公表日): 1996年10月18日
要約:
【要約】【課題】 蒸着法によってエミッタを形成する電界放出冷陰極において、エミッタ形成時にエミッタ材料の回り込みによる絶縁層側面の汚染を防止する。これによって、ゲート・エミッタ間の絶縁抵抗や耐圧が劣化するのを防止する。【解決手段】 斜め蒸着によって、犠牲層5を空洞4内の絶縁層側面全面に形成し、次にエミッタを蒸着し、その後にエミッタ材料粒子を保護膜とともに除去する。また、他に保護膜としてレジスト、CVDによる膜、スパッタによる膜を用いる。
請求項(抜粋):
導電性基板、あるいは絶縁性材料上に導電性層を堆積した基板上に絶縁層と導電性のゲート層を形成する工程と、前記絶縁層と導電性ゲート層にエミッタ電極形成用の空洞を形成する工程と、前記ゲート層上部とエミッタ電極形成用空洞の内側に張り出すように犠牲層を形成する工程と、エミッタ電極材料を堆積する事により空洞内にエミッタ電極を形成したあと前記犠牲層を除去することにより余分なエミッタ電極材料をリフトオフする工程とを有する電界放出冷陰極の製造方法において、前記エミッタ電極材料を堆積する前に、前記エミッタ電極を取り囲む前記絶縁層側面に保護膜を成膜し、前記エミッタ電極の材料を堆積した後に、前記保護膜を除去する工程を備えることを特徴とする電界放出冷陰極の製造方法。
IPC (2件):
H01J 9/02 ,  H01J 1/30
FI (2件):
H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 B
引用特許:
審査官引用 (1件)

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