特許
J-GLOBAL ID：200903081968770450

半導体装置

発明者：
蛭田 義郁

蛭田 義郁 について


出願人/特許権者：
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社

日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338093
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156069
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のチップ上の屈曲部のある配線のEM耐性を向上させながら、配線面積の増加や信号伝達特性の劣化がなく、且つEM耐性を向上させるための製造工程の追加が最小限になる配線構造を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 幅がW1の第1の方向の第1直線部11と幅がW2の第2の方向の第2直線部12とが内角側屈曲点P0と外角側屈曲点Q0とを結ぶ仮想的な接合部2で直角に屈曲している配線1で、内角側屈曲点P0をなす縁端部上で第1直線部11側にW1の距離の位置P1を通り第1直線部11を直角に横断する第1の直線16と第2直線部12側にW2の距離の位置P2を通り第2直線部12を直角に横断する第2の直線17で囲まれた領域を屈曲部3とし、この屈曲部3の配線膜厚t(t=s+Δs)を基準膜厚部10の膜厚sよりもΔsだけ上層側に突出させて膜厚を厚くした膜厚補強部とし、断面積を増大させている。
請求項（抜粋）：
同一層内の連続した配線を有する半導体装置であって、前記配線が、第1の導電性薄膜で形成された所定の膜厚の基準膜厚部と、少なくとも前記第1の導電性薄膜を含んで形成され且つ膜厚が前記基準膜厚部の膜厚よりも厚い,他の配線層との接続のための接続開口部とは異なる補強膜厚部と、を備えることを特徴とする半導体装置。
Fターム (10件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033MM20 ,  5F033MM21 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW02 ,  5F033XX05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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