特許

J-GLOBAL ID：200903081979346226

配線基板の製造方法

発明者： 里 英昭 ,  細井 義博
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080520
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277653
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】外力印加によって外部リード端子が破断してしまう。【解決手段】絶縁基体1に被着されている配線層2に外部リード端子3をロウ材を介して取着する際に外部リード端子のヤング率を7000kgf/mm 2 乃至13000kgf/mm2 にし、外部リード端子3の露出表面にニッケルから成るめっき層4を被着させた後にめっき層4を熱処理し、ニッケルから成るめっき層4の粒径を2μm乃至5μmとする。

請求項（抜粋）：

(1)外表面に配線層が被着された絶縁基体を準備する工程と、(2)前記配線層上にロウ材を介して外部リード端子を載置させるとともに850°C以上の温度で熱処理し、前記ロウ材を溶融させて配線層に外部リード端子を取着するとともに外部リード端子のヤング率を7000kgf/mm2 乃至13000kgf/mm2 にする工程と、(3)前記外部リード端子の露出表面にニッケルから成るめっき層を被着させる工程と、(4)前記ニッケルから成るめっき層を600°C以上で、かつ前記ロウ材の融点未満の温度で熱処理し、ニッケルから成るめっき層の粒径を2μm乃至5μmとする工程、とから成ることを特徴とする配線基板の製造方法。

FI (2件)：

H01L 23/12 K ,  H01L 23/12 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-071262
  
• 特開平2-303058
  
• セラミック配線板のめっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-082904   出願人：株式会社日立製作所