特許

J-GLOBAL ID：200903081993691807

半導体発光装置

発明者： 武石 英見 ,  亀井 英徳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-159071
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006468
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】放熱性が高く、かつ発光ダイオードと支持体の接着強度の強い窒化物半導体よりなるフリップチップタイプの半導体発光装置を提供する。【解決手段】発光ダイオードのp電極のほぼ全面を、絶縁膜を介さずに導電性材料によって支持体の正電極に接着することにより、発光層近傍で発生した熱をp電極のほぼ全面から直接に導電性材料を介して、支持体の正電極に伝達させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、p型窒化物半導体層が順次に積層され、前記p型窒化物半導体層の上に形成されたp電極と、前記p型窒化物半導体層と前記発光層の一部を除去して前記n型窒化物半導体層を露出させた領域上に形成されたn電極と、を有する発光ダイオードチップが、少なくとも正電極と負電極を有する支持体に、前記p電極と前記n電極をそれぞれ前記正電極と前記負電極に接続させてフリップチップで搭載されている半導体発光装置であって、前記p電極のほぼ全面が、導電性材料によって前記正電極に接着されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/60

FI (3件)：

H01L33/00 N ,  H01L33/00 C ,  H01L21/60 311Q

Fターム (16件)：

5F041AA31 ,  5F041AA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DB09 ,  5F044KK05 ,  5F044KK14 ,  5F044KK19 ,  5F044LL01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-097154   出願人：スタンレー電気株式会社
• 窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-169045   出願人：株式会社東芝