特許
J-GLOBAL ID：200903082009698916

集束イオンビーム加工装置

発明者：
岩田 浩二

岩田 浩二 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について

, 
株式会社日立サイエンスシステムズ

株式会社日立サイエンスシステムズ について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353951
公開番号（公開出願番号）：特開2003-157792
出願日： 2001年11月20日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】素地の露出した加工断面を観察するために、試料を一旦装置外部に取出し金属コーティング等を施してから別装置に装着し直して観察する必要があった。【解決手段】イオンビーム照射系と軸方向を異にした電子ビーム照射系を同一試料室内に設け、該試料室を低真空雰囲気にして該電子ビーム照射系で観察するようにした。【効果】高精度で試料にダメージを与えることなくかつ迅速に加工面の観察が可能となる。
請求項（抜粋）：
試料面を走査照射するイオンビーム照射系と、電子ビーム照射系、各ビーム走査時に試料から放出される2次電子を捕らえる検出器、上記検出器からの出力を表示する像表示装置およびビーム切替機構を有し、前記イオンビーム照射系と電子ビーム照射系を軸方向を異にして同一試料室に装備し、前記イオンビームで試料を加工した際の加工面を試料室を低真空の状態にして前記電子ビームの走査条件により観察することを特徴とする集束イオンビーム加工装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317 ,  H01J 37/18 ,  H01J 37/28 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
H01J 37/317 D ,  H01J 37/18 ,  H01J 37/28 B ,  H01L 21/302 D
Fターム (13件)：
5C033KK01 ,  5C033KK06 ,  5C033UU03 ,  5C033UU10 ,  5C034AA02 ,  5C034AA04 ,  5C034AA09 ,  5C034AB07 ,  5C034AB09 ,  5F004BA11 ,  5F004BA17 ,  5F004BB01 ,  5F004BC01
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 特開平4-076437
  • 特開平4-076437
  • イオンビーム加工装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-230916   出願人：株式会社日立製作所
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM