特許

J-GLOBAL ID：200903082019006508

多結晶シリコンデバイス及び太陽電池

発明者： 石原 俊一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178907
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046229
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ガラス、金属等の異種の基板と、多結晶シリコンとの、熱膨張係数の違いのための界面における応力歪みに起因する欠陥を抑える。【構成】 結晶シリコンとは異なる材料の基板上に多結晶シリコンを堆積したデバイスにおいて、基板1と多結晶シリコン4との間に非晶質SiGe層または非晶質SiSn層3が存在する。

請求項（抜粋）：

結晶シリコンとは異なる材料の基板上に多結晶シリコンを堆積したデバイスにおいて、基板と多結晶シリコンとの間に非晶質SiGe層または非晶質SiSn層が存在することを特徴とする多結晶シリコンデバイス。

FI (3件)：

H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭54-015688
  
• 特開平4-061384
  
• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-132114   出願人：三洋電機株式会社