特許
J-GLOBAL ID:200903082036757746
基板処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-322070
公開番号(公開出願番号):特開2004-158588
出願日: 2002年11月06日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】有機物の除去処理等の面内均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】除去液ノズル7から基板Wに対して除去液を供給する前に、裏面側液ノズル11から基板Wの裏面に対して温調済の純水を供給する。除去液ノズル7から供給される除去液の温度と裏面側液ノズル11から吐出される純水の温度との温度差は20°C以内とされている。温調済の純水を基板Wの裏面に供給して基板Wの温度を除去液の温度に近づけることにより、基板Wの表面を流れる除去液の温度が基板Wの全面においてほぼ均一となり、除去液の温度依存性が大きい場合であっても、ポリマー等の有機物の除去処理の面内均一性を向上させることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板に付着した有機物を、該有機物の除去液によって除去する基板処理装置であって、
有機物が付着した基板を保持して回転する保持回転手段と、
前記保持回転手段に保持された基板の表面に前記除去液を供給する除去液供給手段と、
前記除去液供給手段から供給される前記除去液の温度と前記保持回転手段に保持された基板の温度との温度差が所定の範囲内となるように前記基板の温度を温調する温調手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件):
H01L21/304
, B08B3/02
, G02F1/13
, G02F1/1333
FI (4件):
H01L21/304 648G
, B08B3/02 B
, G02F1/13 101
, G02F1/1333 500
Fターム (20件):
2H088FA21
, 2H088FA23
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088MA20
, 2H090JB02
, 2H090JC19
, 3B201AA02
, 3B201AA03
, 3B201AB34
, 3B201AB47
, 3B201BB24
, 3B201BB62
, 3B201BB82
, 3B201BB93
, 3B201BB94
, 3B201BB95
, 3B201CB01
, 3B201CD42
, 3B201CD43
引用特許:
審査官引用 (2件)
-
基板処理方法および基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-330674
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
-
半導体処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-172646
出願人:富士ゼロックス株式会社
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