特許
J-GLOBAL ID:200903035836147743

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大坪 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-330674
公開番号(公開出願番号):特開2002-222802
出願日: 2001年10月29日
公開日(公表日): 2002年08月09日
要約:
【要約】【課題】 反応生成物や有機物の除去処理を短時間に完了することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供するこを目的とする。【解決手段】 基板処理装置は、基板Wが収納されたカセット7をを搬入するためのインデクサー部4と、基板Wを加熱する加熱処理部1と、基板Wを回転可能に保持するスピンチャックと、基板Wの表面に向けて除去液を供給する除去液供給機構と、基板Wの表面に向けて純水を供給する純水供給機構とを有するスピン処理部3と、基板Wをインデクサー4部から加熱処理部1を介してスピン処理部3に搬送する一対の搬送機構5、6とを備える。
請求項(抜粋):
レジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物を除去液により除去する基板処理方法であって、基板を加熱する予備加熱工程と、基板の表面に除去液を供給する除去液供給工程と、基板の表面に純水を供給する純水供給工程と、基板をその主面と平行な面内において回転させることにより、基板に付着した純水を振り切る純水振り切り工程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。
IPC (8件):
H01L 21/3065 ,  B05C 9/12 ,  B05C 11/10 ,  B05D 3/10 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 651
FI (8件):
B05C 9/12 ,  B05C 11/10 ,  B05D 3/10 N ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 651 A ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/30 572 B
Fターム (37件):
2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  4D075AC64 ,  4D075AC79 ,  4D075BB14Z ,  4D075BB18Z ,  4D075BB20Z ,  4D075BB22Y ,  4D075BB23Y ,  4D075BB24Z ,  4D075BB63Z ,  4D075BB65Z ,  4D075BB66X ,  4D075BB69Z ,  4D075BB79Z ,  4D075CA47 ,  4D075DA08 ,  4D075DC22 ,  4D075EA45 ,  4F042AA02 ,  4F042AA07 ,  4F042CC04 ,  4F042CC10 ,  4F042DA01 ,  4F042DA08 ,  4F042DB04 ,  4F042DC01 ,  4F042DF09 ,  4F042DF32 ,  4F042EB09 ,  4F042EB25 ,  4F042EB30 ,  5F004AA14 ,  5F004FA08 ,  5F046MA03
引用特許:
審査官引用 (4件)
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