特許

J-GLOBAL ID：200903082042592112

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 平谷 雄二
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-177031
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004246
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 III-Vナイトライドから成る半絶縁性の電流狭窄層を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 SiNx膜104を選択成長マスクとし、炭素原子を1017個/cm3以上の濃度で含有するようにドーピングしつつ、III-Vナイトライド105を成長形成する。得られたIII-Vナイトライド層105は、半絶縁性の層となるので、電流狭窄層や光導波路のクラッド層として使用できる。パターニングを要することなく、所望の形状の半絶縁性層が成長形成できるので、性能が高い発光素子が形成できる。III-Vナイトライド層の成長は、III族又はV族の原料の何れかにアルキル基を有する化合物を用いたガスソースMBE法により行なう。

請求項（抜粋）：

III-Vナイトライド化合物として構成され、炭素原子を1017cm-3以上の濃度で含有する半絶縁性層を備える半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-246647   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253784   出願人：三洋電機株式会社