特許

J-GLOBAL ID：200903082044222673

現像処理方法および現像処理装置

発明者： 青山 亨 ,  大森 伝
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-173781
公開番号（公開出願番号）：特開2001-005191
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 現像液を振り切った後、リンスの際にレジストの難溶化層の発生を抑制することができる現像処理方法および現像処理装置を提供すること。【解決手段】 基板W上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像するにあたり、基板W上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、塗布された現像液を静止させて現像を進行させて現像処理を行った後、基板W上にリンス液を供給してリンスする。このリンスの初期段階において現像液とリンス液とを基板W上に供給してリンスを行う。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理方法であって、基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布する工程と、塗布された現像液を静止させて現像を進行させる工程と、現像処理終了後、基板上にリンス液を供給してリンスする工程とを有し、前記リンス工程は、初期段階において現像液とリンス液とを基板上に供給してリンスを行うことを特徴とする現像処理方法。

IPC (3件)：

G03F 7/30 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/30 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/30 569 C ,  H01L 21/30 569 F

Fターム (6件)：

2H096AA25 ,  2H096GA01 ,  2H096GA17 ,  2H096GA30 ,  5F046LA03 ,  5F046LA14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-177727
  
• 処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-084064   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
• 特開昭61-279858