特許
J-GLOBAL ID：200903082047142921
半導体装置及び液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076806
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270514
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 液晶表示装置内のサージ吸収用トランジスタの接地電位へのコンタクトを良好にし、TFTの静電破壊を防ぎ、歩留まり及び信頼性を向上する。【解決手段】 ゲートとドレインをゲートラインあるいはドレインラインに接続した正サージ用保護TFT、及び、ドレインをゲートラインあるいはドレインラインに接続した負サージ用保護TFTにおいて、保護TFTのソースに接続するGND電極20,25を、層間絶縁膜13中に形成された第1の開口部ctA内に埋め込まれたa-Si15及びゲート絶縁膜16中に形成された第2の開口部ctBを通じて遮光膜11と補助容量電極12の積層体層へ接続した。GND電極は20,25は浅い第2の開口部ctB内で段切れを起こすことなく、良好なコンタクトが得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1導電膜と、前記第1導電膜上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2導電膜とを有し、前記第1導電膜と前記第2導電膜が、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜中に開口されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる半導体装置において、前記コンタクトホールは、前記第1の絶縁膜中に形成された第1の開口部と、前記第2の絶縁膜中に形成された第2の開口部からなり、前記第1の開口部は前記第2の開口部よりも口径が大きく、前記第2の開口部は前記第1の開口部内に埋め込まれた前記第2の絶縁膜中に開口され、前記第2導電膜は実質的に前記第2の開口部を介して前記第1導電膜に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 623 Z
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 C
