半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273954
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130958
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】複数の導体層を有する半導体装置において、コンデンサ素子の面積を大きくすることなく、静電容量を大きくする。【構成】電極端子3に電圧が印加されと、チャネル1eとコントロールゲート1bとは同電位となる。フローティングゲート1aは、グランド電位に接続されているので、チャネル1eとフローティングゲート1aとは、電荷が蓄積される1対のコンデンサ素子が形成される。コントロールゲート1bはチャネル1eと同電位であり、前記フローティングゲート1aはグランド電位であるので、コントロールゲート1bとフローティングゲート1aも電荷が蓄積される1対のコンデンサが形成される。よって、1つのMOS形トランジスタ素子1によって、2対のトランジスタ素子が並列接続で形成される。

請求項（抜粋）：

複数の導体層で形成されている半導体装置であって、半導体基板上に形成された第1の半導体層と第2の半導体層とが短絡され、前記第1の半導体層と第2の半導体層との間に形成された第3の半導体層と、前記第3の半導体層の上部に形成された複数の前記導体層に形成された電極とによりコンデンサ素子が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/04 L , H01L 27/04 C , H01L 27/04 P

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-040946
特開昭63-293968
特開昭61-225864

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