特許

J-GLOBAL ID：200903082119535095

気相成長装置、気相成長方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ

発明者： 曲 偉峰 ,  大塚 徹 ,  羽深 等
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074179
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269147
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 比較的単純な機構によりながら、反応容器内の原料ガスの流速分布を飛躍的に高めることができ、ひいては大口径ウェーハ等の基材に対しても、良好な膜厚分布精度を確保できる気相成長装置を提供する。【解決手段】 ガス導入口70,71,72に続く流れ調整部4において、原料ガスGの直進を妨げる位置に妨害部材50,51,52を配置し、原料ガス流をその外縁を経て迂回させつつ裏面側へ流通させた後、ガス流通孔65が多数分散形成された整流部材4をさらに流通させて容器本体3内に導く。ガス導入口70,71,72から直進してくるガス流は、妨害部材50,51,52に当たってガス導入口70,71,72から外れる位置に強制的に迂回させられた後、整流部材4へ導かれるので、ガス導入口70,71,72に対応する領域において透過ガスの流速が大きくなりやすくなる不具合が緩和される。その結果、容器本体3内の広い範囲内にてガス流速分布を均一化でき、ひいては基材W上に均一な膜厚にて薄膜Fを気相成長させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

基材表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置であって、薄膜形成のための原料ガスが、ガス導入口から流れ調整部を経て前記反応容器本体の内部空間に対し、前記基材表面に沿う方向に導かれるようになっており、前記流れ調整部が、前記原料ガスの直進を妨げる位置に配置され、前面側にて受けた原料ガス流をその外縁を経て迂回させつつ裏面側へ流通させる妨害部材と、その妨害部材の下流側に配置され、前記妨害部材を経て流通する原料ガスを透過させるガス流通孔が多数分散形成された整流部材と、を備えたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/06 504 L

Fターム (21件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EG24 ,  4G077TB02 ,  4G077TB03 ,  4G077TG04 ,  4G077TH07 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EF05 ,  5F045EF14 ,  5F045GB17 ,  5F045HA03