特許

J-GLOBAL ID：200903082123634731

ハイブリッド集積素子およびその製造方法

発明者： 大山 貴晴 ,  赤堀 裕二 ,  山田 貴
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小林 将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001424
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323649
出願日： 1999年01月06日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 光素子と電子素子を同一の基板上に従来より少ないリフロー工程数で取り付け、ハイブリッド集積素子を製造すること。【解決手段】 光素子6を固定するための光素子用半田バンプ11aと、電子素子7を支持するための電子素子用半田バンプ11bとを、基板1上で一括同時形成する第1の工程と、該光素子6を光素子用半田バンプ11aで固定する第2の工程と、電子素子7を電子素子用半田バンプ11b上で支持し、かつ電子素子用半田バンプ11b上でクリーム半田19により固定する第3の工程とからなることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

光導波路を有する基板上に、光素子と電子素子をハイブリット集積した素子において、該光素子を固定する第1の半田バンプと該電子素子を支持する第2の半田バンプとは一括同時形成されたものであり、かつ導電性固定材料を介して該電子素子を固定したことを特徴とするハイブリット集積素子。

IPC (4件)：

H01L 25/16 ,  G02B 6/122 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/34 507

FI (4件)：

H01L 25/16 A ,  H01L 21/60 311 Q ,  H05K 3/34 507 C ,  G02B 6/12 B

Fターム (17件)：

2H047MA07 ,  2H047QA04 ,  5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB04 ,  5E319BB05 ,  5E319BB16 ,  5E319CC33 ,  5E319GG11 ,  5F044KK05 ,  5F044KK19 ,  5F044KK23 ,  5F044LL01 ,  5F044LL07 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ01 ,  5F044RR01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 光モジュール及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053407   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭64-025580
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204302   出願人：株式会社日立製作所
• 光素子実装基板およびハイブリッド光集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-285548   出願人：日本電信電話株式会社