特許

J-GLOBAL ID：200903082130325167

薄膜形成方法

発明者： 澤邊 厚仁 ,  與田 博明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229313
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090558
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】 高密度化・高集積化した電気・磁気素子の製造プロセスに適用可能な薄膜形成方法を提供することを目的とする。【構成】 薄膜形成方法は、原料粒子を所定の基板上に堆積させて薄膜を形成する薄膜形成方法であって、多数の原料粒子を生成させる工程と、該原料粒子をイオン化させる工程と、イオン化した原料粒子に対し所定方向の電場を付与しこの電場の方向とと実質的に平行に原料粒子が移動する粒子流を生成させる工程と、該粒子流を基板上に到達させる工程とを備える。又、他の薄膜形成方法においては、多数の原料粒子を第1の雰囲気内で生成させ、この第1の雰囲気と該第1の雰囲気より真空度が高い第2の雰囲気との境界で所定方向と実質的に平行に該原料粒子が移動する粒子流を生成させ、該粒子流を第2の雰囲気内に設置された基板上に到達させる。【効果】 方向性が整った粒子流によって狭い溝の埋め込み成膜を高速度で行うことが可能となる。

請求項（抜粋）：

原料粒子を所定の基板上に堆積させて薄膜を形成する薄膜形成方法であって、多数の原料粒子を生成させる工程と、該原料粒子をイオン化させる工程と、イオン化した原料粒子に対し所定方向の電場を付与し、この電場の方向と実質的に平行に原料粒子が移動する粒子流を生成させる工程と、該粒子流を基板上に到達させる工程とを備える、薄膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/32 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-168272
  
• スパッタリング式成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-010418   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-168272