特許

J-GLOBAL ID：200903082134338468

露光処理方法及び、半導体装置の製造方法

発明者： 大川 洋巳
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-011388
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194419
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

【課題】基板表面の段差が大きいような場合でも面位置の検出精度の低下を防止できるようにした露光処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウエーハの表面上に塗布されたフォトレジストにスキャン露光を行う際に、ウエーハの表面を走査して当該ウエーハ表面の面位置データを取得する(ステップA1)。また、ウエーハ表面の段差部の位置及びその大きさに関する段差情報をCADデータや膜厚設計値等から取得する(ステップA2)。次に、取得した段差情報に基づいて面位置データを補正し(ステップA3)、補正された面位置データに基づいてウエーハ表面の面位置を調整する(ステップA4)。そして、面位置が調整されたウエーハ表面上のフォトレジストに露光処理を行う。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板の表面上に塗布されたフォトレジストに露光処理を行う露光処理方法であって、 前記基板の表面を走査して当該基板表面の面位置データを取得する工程と、 前記基板表面の段差部の位置及びその大きさに関する段差情報に基づいて前記面位置データを補正する工程と、 補正された前記面位置データに基づいて前記基板表面の面位置を調整する工程と、 前記面位置が調整された前記基板表面上の前記フォトレジストに前記露光処理を行う工程と、を含むことを特徴とする露光処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G01B 21/00

FI (4件)：

H01L21/30 516A ,  H01L21/30 518 ,  G03F7/20 521 ,  G01B21/00 D

Fターム (15件)：

2F069AA03 ,  2F069AA42 ,  2F069BB15 ,  2F069FF00 ,  2F069GG06 ,  2F069GG07 ,  2F069JJ07 ,  5F046AA26 ,  5F046BA05 ,  5F046CC01 ,  5F046CC05 ,  5F046DA05 ,  5F046DA14 ,  5F046DB04 ,  5F046DD03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 面位置検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-068999   出願人：キヤノン株式会社