エピタキシャルウエハ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河野登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-088020
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259071
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】全体的に均一で結晶性が良いエピタキシャルウエハ及びその製造方法を提供する。【構成】 Si基板1上に窓を形成したSiO2 層2、エピタキシャル成長層であるGaAs層3、SiO2 層2の窓6と重ならないように窓7を形成したSiO2 層4、エピタキシャル成長層であるGaAs層5をこの順に積層させて窓6を通して転位がGaAs層5へ伝播することを抑制する。

請求項（抜粋）：

結晶半導体基板上にヘテロエピタキシャル成長によりエピタキシャル層を形成しているエピタキシャルウエハにおいて、結晶半導体基板上に、第1の窓を形成した第1アモルファス層、第1エピタキシャル層、前記第1の窓と重ならない位置に第2の窓を形成した第2アモルファス層、及び第2エピタキシャル層をこの順に積層してあることを特徴とするエピタキシャルウエハ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

硬基板塗布装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-334516 出願人：富士写真フイルム株式会社

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