特許
J-GLOBAL ID：200903082175600665
複数のフローティング拡散領域を備えるCMOSイメージセンサの単位画素
出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター
株式会社ハイニックスセミコンダクター について
代理人 (6件)： 三枝 英二 , 舘 泰光 , 眞下 晋一 , 松本 公雄 , 立花 顕治 , 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-025949
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336006
出願日： 2004年02月02日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】 フォトダイオード内の光電子デッドゾーンを縮小し、電荷転送効率を向上させるのに好適なCMOSイメージセンサの単位画素を提供すること。 【解決手段】 CMOSイメージセンサの単位画素は、平面形状が四角形であり、上部領域と上部領域に比べて面積が広い下部領域に区画されたCMOSイメージセンサの単位画素において、下部領域の全領域に割り当てられたフォトダイオード212領域と、上部領域の上に配置されたリセットゲート216A、ドライブゲート218A及びセレクトゲート220Aと、フォトダイオード212領域の少なくとも2つの隅部に設けられた所定の広さのフローティング拡散領域222,242と、フローティング拡散領域222,242を画定するように、フォトダイオード領域212の上に配置されたトランスファゲート214A,234Aとを含んで構成されている。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
平面形状が四角形であり、上部領域と下部領域を含み、上部領域に比べて下部領域の面積の方が広いCMOSイメージセンサの単位画素において、
前記下部領域の全領域に割り当てられたフォトダイオード領域と、
前記上部領域の上に配置されたリセットゲート、ドライブゲート及びセレクトゲートと、
前記フォトダイオード領域における少なくとも2つの隅部に形成された所定の広さのフローティング拡散領域と、
前記フローティング拡散領域を画定するように、前記フォトダイオード領域の上に配置されたトランスファゲートと
を含むことを特徴とするCMOSイメージセンサの単位画素。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4M118AA03
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA19
, 4M118DD04
, 4M118FA06
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 5C024CX17
, 5C024CX32
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GX18
, 5C024GY31
, 5C024HX01
, 5C024HX35
, 5C024HX40
, 5C024HX41
引用特許：
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