特許
J-GLOBAL ID：200903082186231998
流動床反応炉におけるシリコン沈積方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-501952
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510560
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1999年09月14日
要約：
【要約】シリコンビーズ(102)はCVD反応炉(101)の内部に発生した種粒子(102)上に化学気相成長(CVD)に形成され、反応炉(101)は、シリコンビーズ(102)を浸漬した噴出しベッドに維持する入口領域(116)とシリコンビーズ(102)を泡立つた流動床に維持する上方領域(118、120)とを含む多領域を備え、上方領域(118、120)のテーパー状の部分(118)はビーズをサイズで分ける。生成ビーズの検査、仕分け及び移送システムも開示される。
請求項（抜粋）：
多数のシリコンビーズと、シリコンビーズを収容するチャンバを画定しかつシリコンビーズを流動化するガスを注入する流動化入口を画定する壁を備えた容器とを有し、チャンバが、(a)流動化入口を収容しかつ流動化入口を介してガスを注入した時に浸漬した注ぎ出しベッドにビーズを収容するように形成された入口領域及び(b)入口領域に連通しかつ入口領域の上方に配置され、入口領域から上方に動くガスを受けかつ泡立ち流動化ベッドにビーズを収容するように寸法決めされて形成される上方領域を含む少なくとも二つの領域を備えていることを特徴とする加熱シリコン堆積反応システム。
IPC (2件)：
C23C 16/24
, B01J 8/24 311
C23C 16/24
, B01J 8/24 311
