半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090421
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297183
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】電気抵抗が小さく多層配線が容易な導電性配線層を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明では、半導体基板20上に形成された絶縁層22上に配線溝を形成する工程と、配線溝が形成された絶縁層22上に絶縁膜21を形成する工程と、絶縁膜21上に導電性配線層23を形成する工程と、配線溝を埋め込むように導電性配線層23上に平坦化層24を形成する工程と、平坦化層24及び導電性配線層23を、ポリッシングにより、配線溝以外に形成された絶縁膜21が露出するまで除去し、導電性配線層23を配線溝に残存形成する工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁層上に配線溝を形成する工程と、前記配線溝が形成された前記絶縁層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に導電性配線層を形成する工程と、前記配線溝を埋め込むように前記導電性配線層上に平坦化層を形成する工程と、前記平坦化層及び前記導電性配線層を、ポリッシングにより、配線溝以外に形成された前記絶縁膜が露出するまで除去し、前記導電性配線層を配線溝に残存形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

研磨による配線層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-282007 出願人：富士通株式会社
化学的機械的平坦化
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-105903 出願人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
特開昭64-077143

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