半導体ウェーハ、半導体ウェーハの製造方法及び半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280590
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091175
出願日： 1998年09月15日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線形成工程などの熱処理により発生するCuのシリコン中への拡散を防止してトランジスタ特性の変動を少なくさせたウェーハ及びその製造方法、このウェーハから形成された半導体装置を提供する。【解決手段】ウェーハ主面の周辺部、外周面及び裏面に内部にCuが拡散するのを防ぐ保護絶縁膜(Cu拡散係数の小さい材料からなる保護膜)を形成する。保護絶縁膜は、シリコン窒化膜103及びシリコン酸化膜から構成されている。この保護絶縁膜によって、配線材料のCuなどがウェーハ100のチップ形成領域内に拡散するのを防止し、Cu拡散が原因で生じるトランジスタ特性の変動を抑制するものである。ウェーハは裏面、この裏面に連続的につながる外周面及びこの外周面に連続的につながり、少なくとも集積回路が形成されない主面の周辺領域に窒化シリコンを含む保護絶縁膜が形成されている。

請求項（抜粋）：

裏面、この裏面に連続的につながる外周面及びこの外周面に連続的につながり、集積回路が形成される領域とこの領域と接する周辺領域からなる主面とを有し、前記裏面、前記外周面及び前記主面の周辺領域には内部への銅の拡散を防止する保護絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-129267
半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-226816 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-185977

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