特許

J-GLOBAL ID：200903082228784127

光制御デバイス

発明者： 三冨 修 ,  宮沢 弘 ,  野口 一人
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310635
公開番号（公開出願番号）：特開平10-039266
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 光制御デバイスの特性を一定にし、さらに帯域を広げる。【解決手段】 光制御デバイスは、少なくとも1本の光導波路を表面近傍に備えた電気光学効果を有する基板と、基板表面上に形成されたバッファ層と、バッファ層上の光導波路近傍に形成された中心導体と接地導体よりなる電極とを含み、中心導体のバッファ層に接する側の幅が光導波路の幅より大きい。

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有し光導波路を含むリッジが形成されている基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層を介して前記基板上に形成された接地導体と前記バッファ層を介して前記リッジ上に形成された中心導体とからなる電極とを備えてなり、前記リッジ以外の部分に形成されている前記バッファ層の表面が前記リッジの上に形成されている前記バッファ層の表面より低く形成され、前記電極のマイクロ波損失を低減するとともに、前記電極を伝搬するマイクロ波と前記光導波路を伝搬する光の伝搬速度が正確にもしくはほぼ等しくなるとともに、前記電極のインピーダンスが所望のインピーダンスに正確にもしくはほぼ等しくなるように、前記リッジの幅と深さ、前記バッファ層の厚さおよび前記電極の形状と寸法が設定されている光制御デバイスにおいて、前記中心電極の前記バッファ層に接する側の幅が前記光導波路のコアの幅より大きいことを特徴とする光制御デバイス。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 進行波型電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-230996   出願人：イビデン株式会社
• 特開昭64-091111
  
• 特開昭63-234219
  
• 特開平3-229214