結晶質シリコン基板のその処理方法および光電変換素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-314339
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128391
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】結晶質シリコン基板の欠陥を低コストで簡便に不活性化する方法を見出すことを課題とする。【解決手段】結晶質シリコン基板を水素処理に付す工程(1)、工程(1)で得た結晶質シリコン基板を工程(1)で採用した温度より実質的に高い温度でかつ不活性雰囲気下で加熱処理に付す工程(2)と結晶質シリコン基板を再度水素処理に付す工程(3)からなることを特徴とする結晶質シリコン基板の処理方法により課題を解決する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

結晶質シリコン基板を水素処理に付す工程(1)、工程(1)で得た結晶質シリコン基板を工程(1)で採用した温度より実質的に高い温度でかつ不活性雰囲気下で加熱処理に付す工程(2)と結晶質シリコン基板を再度水素処理に付す工程(3)からなることを特徴とする結晶質シリコン基板の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01L21/322 Z , H01L31/04 H

Fターム (13件)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051BA11 , 5F051CB18 , 5F051CB24 , 5F051CB29 , 5F051CB30 , 5F051FA06 , 5F051FA10 , 5F051GA04 , 5F051GA15 , 5F051HA03 , 5F051KA09

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭59-136926号公報
特開昭58-23487号公報
特開昭58-64035号公報

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