特許

J-GLOBAL ID：200903082254662641

化学気相堆積装置及びそれによる半導体装置の製造方法

発明者： 浅羽 哲朗 ,  川角 保志 ,  関根 康弘 ,  早川 幸宏 ,  近江 和明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357271
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196419
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、化学気相堆積装置において、原料ガスとキャリアガスの混合比の制御性を向上させるとともに、ボンベ近傍の温度変化や、ボンベ内の残液量の変化によって、混合比が変化せず、安定した混合比の得られる装置を実現することにある。【構成】 化学気相堆積装置において、液体状態の原料を収納した原料容器106と、前記原料容器から該液体原料を導入する原料ガス発生容器102と、該原料ガス発生容器内の前記液体原料の液面を一定に保つ手段103,104と、前記原料ガス発生容器内の前記液体原料中に、外部から発泡用のガスH2 を注入して原料ガスを発生させる手段と、前記原料ガスと前記発泡ガスとの混合ガスを導入する反応室101とを有することを特徴とする化学気相堆積装置。

請求項（抜粋）：

化学気相堆積装置において、液体状態の原料を収納した原料容器と、前記原料容器から該液体原料を導入する原料ガス発生容器と、該原料ガス発生容器内の前記液体原料の液面を一定に保つ手段と、前記原料ガス発生容器内の前記液体原料中に、外部から発泡用のガスを注入して原料ガスを発生させる手段と、前記原料ガスと前記発泡ガスとの混合ガスを導入する反応室とを有することを特徴とする化学気相堆積装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-250116
  
• 特開平4-164325
  
• 気相成長用原料液体の蒸発器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-159280   出願人：富士通株式会社