特許
J-GLOBAL ID:200903082276565208
集積型光制御素子およびその作製方法、並びにそれを備えた光集積回路素子および光集積回路装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-209745
公開番号(公開出願番号):特開平8-234033
出願日: 1995年08月17日
公開日(公表日): 1996年09月13日
要約:
【要約】【課題】 動作温度や使用する光の波長の変化に対する反射率、透過率の変化が小さく安定動作が可能で、かつ占有面積の小さな集積型光制御素子を提供する。【解決手段】 入力導波路144と出力導波路142、143との間に垂直端面132を設け、その垂直端面132上に互いに屈折率の異なる複数の層により構成される多層反射膜109を形成することにより、入力導波路144からの光を部分的に反射・透過させ、出力導波路142、143へと結合させる。
請求項(抜粋):
外部から光が入射されて内部を伝播する第1の導波路と、該第1の導波路を伝播した後に出射された光が入射され、該入射された光を透過または反射するための、接する領域の等価的な屈折率とは屈折率の異なる1層以上の層を有する積層体と、該積層体で透過または反射された光のうち少なくとも一部の光が入射される第2の導波路とを備えた集積型光制御素子。
IPC (4件):
G02B 6/122
, G02B 6/13
, H01L 27/15
, H01S 3/18
FI (4件):
G02B 6/12 D
, H01L 27/15 B
, H01S 3/18
, G02B 6/12 M
引用特許:
出願人引用 (11件)
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特開昭60-002906
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特開昭62-119504
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特開平3-048203
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特開昭55-121411
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半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-334675
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭50-147343
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特開昭63-191106
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半導体レーザ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-343500
出願人:富士通株式会社
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集積型光カップラ及びその使用方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-172423
出願人:キヤノン株式会社
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特開平4-361236
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特開平4-152304
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審査官引用 (17件)
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特開昭60-002906
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特開昭60-002906
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特開昭62-119504
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特開昭62-119504
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特開平3-048203
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特開平3-048203
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特開昭55-121411
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特開昭55-121411
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半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-334675
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭60-002906
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特開昭62-119504
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特開平3-048203
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特開昭55-121411
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特開昭60-002906
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特開昭62-119504
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特開平3-048203
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特開昭55-121411
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