特許

J-GLOBAL ID：200903082284792930

化合物半導体基板

発明者： 小宮山 純 ,  吉田 晃 ,  大石 浩司 ,  阿部 芳久 ,  鈴木 俊一 ,  中西 秀夫
出願人/特許権者： コバレントマテリアル株式会社
代理人 (2件)： 木下 茂 ,  石村 理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-233818
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065082
出願日： 2007年09月10日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】化合物半導体単結晶層に残留するキャリアを抑制することによって、高速および高耐電圧デバイスに好適な窒化物半導体単結晶層を有する化合物半導体基板を提供する。【解決手段】Si単結晶基板1上に、B,Al,V,Ni,Fe,Mg,Pt,Cr,Mo,W,Ta,Nb,Sc,Ti,Au,Co,Cuのうちの少なくともいずれか1種の不純物元素を1014〜1021/cm3含む、厚さ0.05〜2μmの3C-SiC単結晶バッファー層2と、C,V,Ni,Fe,Mg,Pt,Cr,Mo,W,Ta,Nb,Sc,Ti,Au,Co,Cuのうちの少なくともいずれか1種の不純物元素を1014〜1021/cm3含む、厚さ0.05〜5μmのGaN単結晶層3とが順次積層された構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板上に、B,Al,V,Ni,Fe,Mg,Pt,Cr,Mo,W,Ta,Nb,Sc,Ti,Au,Co,Cuのうちの少なくともいずれか1種の不純物元素を1014〜1021/cm3含む、厚さ0.05〜2μmの3C-SiC単結晶バッファー層と、C,V,Ni,Fe,Mg,Pt,Cr,Mo,W,Ta,Nb,Sc,Ti,Au,Co,Cuのうちの少なくともいずれか1種の不純物元素を1014〜1021/cm3含む、厚さ0.05〜5μmのGaN単結晶層とが順次積層されていることを特徴する化合物半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L21/20 ,  H01L21/205

Fターム (21件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC20 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F152LL02 ,  5F152LL05 ,  5F152LN03 ,  5F152MM05 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NP02 ,  5F152NP05 ,  5F152NP09 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化合物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-024714   出願人：東芝セラミックス株式会社