特許

J-GLOBAL ID：200903022550872292

化合物半導体デバイス

発明者： 小宮山 純 ,  阿部 芳久 ,  鈴木 俊一 ,  中西 秀夫
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-024714
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216576
出願日： 2005年02月01日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】 エネルギー損失が少なく、高効率かつ破壊電圧が高い化合物半導体デバイスを提供する。【解決手段】 結晶面方位{111}、キャリア濃度1016〜1021/cm3(≒抵抗率1〜0.00001Ωcm)、伝導型n型のSi単結晶基板上2に、厚さ0.05〜2μm、キャリア濃度1016〜1021/cm3、伝導型n型の3C-SiC単結晶バッファー層3と、厚さ0.01〜0.5μmの六方晶InwGaxAl1-w-xN単結晶バッファー層4(0≦w<1、0≦x<1、w+x<1)と、厚さ0.1〜5μm、キャリア濃度1011〜1016/cm3(≒抵抗率1〜100000Ωcm)、伝導型n型の六方晶InyGazAl1-y-zN単結晶層5(0≦y<1、0<z≦1、y+z≦1)とを順次積層し、かつ、Si単結晶基板2の裏面に裏面電極6、および、六方晶InyGazAl1-y-zN単結晶層5の表面に表面電極7を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

結晶面方位{111}、キャリア濃度1016〜1021/cm3(≒抵抗率1〜0.00001Ωcm)、伝導型n型のSi単結晶基板上に、厚さ0.05〜2μm、キャリア濃度1016〜1021/cm3、伝導型n型の3C-SiC単結晶バッファー層と、厚さ0.01〜0.5μmの六方晶InwGaxAl1-w-xN単結晶バッファー層(0≦w<1、0≦x<1、w+x<1)と、厚さ0.1〜5μm、キャリア濃度1011〜1016/cm3(≒抵抗率1〜100000Ωcm)、伝導型n型の六方晶InyGazAl1-y-zN単結晶層(0≦y<1、0<z≦1、y+z≦1)とが順次積層され、かつ、前記Si単結晶基板の裏面に裏面電極、および、前記六方晶InyGazAl1-y-zN単結晶層の表面に表面電極が形成されていることを特徴とする化合物半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (1件)：

H01L29/48 D

Fターム (16件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シヨットキバリアダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-248737   出願人：サンケン電気株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009005   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-223330
  
• シヨットキバリアダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-248737   出願人：サンケン電気株式会社
• 化合物半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-362401   出願人：株式会社東芝