半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083348
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296515
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】銅を主成分とする主導体膜を含む埋込配線の信頼性を向上させる。【解決手段】下層配線としての配線20の上面を含む絶縁膜16上に、銅のバリア性に優れた炭窒化シリコン膜からなる絶縁膜21を形成し、絶縁膜21上に低誘電率材料膜との密着性に優れた炭化シリコン膜からなる絶縁膜22を形成し、絶縁膜22上に層間絶縁膜として低誘電率材料からなる絶縁膜23を形成し、その後上層配線としての配線34を形成する。銅配線のバリア絶縁膜として絶縁膜21および絶縁膜22の積層膜を用い、下層側の絶縁膜21を高バリア性の膜とし、上層側の絶縁膜22を高密着性の膜とする。【選択図】図15

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜に形成された配線開口部と、銅を主成分とする第1導体膜を有し、前記配線開口部に埋め込まれた配線と、前記配線上および前記第1絶縁膜上に形成された第1バリア絶縁膜と、前記第1バリア絶縁膜上に形成された第2バリア絶縁膜と、前記第2バリア絶縁膜上に形成され、酸化シリコン膜よりも低い誘電率を有する第2絶縁膜と、を有し、前記第1バリア絶縁膜の銅に対するバリア性は、前記第2バリア絶縁膜の銅に対するバリア性よりも大きく、前記第2バリア絶縁膜と前記第2絶縁膜との密着性が、前記第1バリア絶縁膜上に前記第2絶縁膜を形成したときの前記第1バリア絶縁膜と前記第2絶縁膜との密着性よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 J

Fターム (77件)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH26 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ15 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK15 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK26 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ90 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR20 , 5F033RR21 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW02 , 5F033WW05 , 5F033WW10 , 5F033XX06 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-247936 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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