レジストパターン形成方法及び微細パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-032920
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237440
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】レジストパターンの側面の凹凸を滑らかにし、あるいはレジストパターンのライン幅を縮小化し、確実かつ正確により微細なパターンを得ることを目的とする。【解決手段】下地層の上に形成されたレジスト薄膜にマスクパターンを転写して現像することによりレジストパターンを形成し、このレジストパターンに所定の電子線を照射して前記レジストパターンを整形した後、この整形されたレジストパターンを介して前記下地層をエッチングして前記下地層の微細パターンを形成する。

請求項（抜粋）：

下地層の上に形成されたレジスト薄膜にマスクパターンを転写して現像することによりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに所定の電子線を照射して前記レジストパターンを整形する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/40 511 , H01L 21/3065

FI (3件)：

G03F 7/40 511 , H01L 21/30 570 , H01L 21/302 N

Fターム (9件)：

2H096AA25 , 2H096HA05 , 5F004AA09 , 5F004AA16 , 5F004EA40 , 5F004FA04 , 5F046AA05 , 5F046AA09 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-110823
特開昭58-207044
特開平2-291110

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