特許
J-GLOBAL ID：200903082296579000
磁気メモリ装置及びその駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122718
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319661
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 メモリ素子の磁化反転に要する外部磁界が大きくなっても、消費電力を大きくすることなくメモリの駆動を可能とし、また磁気抵抗効果素子の磁気抵抗比が小さくても安定して駆動させる。【解決手段】 両端を他の書き込み配線と接続された書き込み配線を有し、該書き込み配線の両側にある垂直磁化膜を有する一対のメモリ素子r11,r12に対して、それぞれのメモリ素子を挟むように前記書き込み配線を含む複数の書き込み配線が設置され、この配線に連続する電流を流すことにより、それぞれのメモリ層の磁化を逆向きに磁化させ相補的に動作させる。情報を記録する場合は、書き込み配線で発生する垂直磁界とビット線で発生する水平磁界とをメモリ素子に同時に印加し、一対のメモリ素子のメモリ層の磁化方向を互いに逆方向に磁化させる。
請求項（抜粋）：
磁化容易軸が膜面垂直方向である磁性層で非磁性層を挟んだ磁気抵抗効果素子と素子選択用デバイスとからなる複数のメモリセルがマトリックス状に配置された磁気メモリ装置において、前記磁気抵抗効果素子の素子列を挟むように複数の書き込み配線が配置され、少なくとも1本の前記書き込み配線はその両端において他の前記書き込み配線と接続され、その他の前記書き込み配線はその一端で他の前記書き込み配線と接続され、他端には駆動回路および電源回路が接続されていることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (5件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 27/10 481
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/14 Z
, G11C 11/15
, H01L 27/10 481
, H01L 43/08 A
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA15
