特許
J-GLOBAL ID:200903082304152283
フェノール変性シアネートエステル樹脂組成物の製造方法、この方法によって得られるフェノール変性シアネートエステル樹脂組成物並びにこれを用いたプリプレグ及び金属張積層板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-027346
公開番号(公開出願番号):特開2001-214053
出願日: 2000年01月31日
公開日(公表日): 2001年08月07日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、耐熱性が良好で、従来のエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂積層板と同様な成形性及び加工性を示し、かつ誘電特性、特に高周波帯域での誘電正接が低く低損失性に優れた印刷配線板の製造に有用なフェノール変性シアネートエステル樹脂組成物の製造方法を提供するものである。【解決手段】 ポリスチレン樹脂を溶解させた芳香族炭化水素系溶剤中で分子中にシアナト基を2つ以上含有するシアネート化合物とフェノール化合物を反応させて得られるフェノール変性シアネートエステル樹脂を合成した後、反応溶液にケトン系溶媒を投入してポリスチレン樹脂とフェノール変性シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物を懸濁させることを特徴するフェノール変性シアネートエステル樹脂組成物の製造方法。
請求項(抜粋):
ポリスチレン樹脂を溶解させた芳香族炭化水素系溶剤中で分子中にシアナト基を2つ以上含有するシアネート化合物と下記一般式(I)で表されるフェノール化合物を反応させて得られるフェノール変性シアネートエステル樹脂を合成した後、反応溶液にケトン系溶媒を投入してポリスチレン樹脂とフェノール変性シアネートエステル樹脂を含む樹脂組成物を懸濁させることを特徴するフェノール変性シアネートエステル樹脂組成物の製造方法。【化1】(式中、R1、R2は水素原子又はメチル基を示し、それぞれ同じであっても異なってもよく、R3は置換基を有していてもよいフェニル基、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基、nは1〜3の整数を表す)
IPC (5件):
C08L 79/00
, C08G 73/00
, C08J 5/24
, C08L 25/04
, H05K 1/03 610
FI (5件):
C08L 79/00 Z
, C08G 73/00
, C08J 5/24
, C08L 25/04
, H05K 1/03 610 K
Fターム (46件):
4F072AD05
, 4F072AD45
, 4F072AE07
, 4F072AF12
, 4F072AF14
, 4F072AF20
, 4F072AF24
, 4F072AF32
, 4F072AG03
, 4F072AH31
, 4F072AJ04
, 4F072AK02
, 4F072AL13
, 4J002BC03X
, 4J002CM02W
, 4J002EA056
, 4J002EE037
, 4J002GF00
, 4J002GQ00
, 4J043PA13
, 4J043PA14
, 4J043PA15
, 4J043PC065
, 4J043PC066
, 4J043QC23
, 4J043RA47
, 4J043SA13
, 4J043SA54
, 4J043SA71
, 4J043SB03
, 4J043UA121
, 4J043UA131
, 4J043UA141
, 4J043UB011
, 4J043UB021
, 4J043UB051
, 4J043UB061
, 4J043VA021
, 4J043VA031
, 4J043VA041
, 4J043VA061
, 4J043YB02
, 4J043YB22
, 4J043ZA12
, 4J043ZA43
, 4J043ZB50
引用特許:
前のページに戻る