特許
J-GLOBAL ID：200903082341889890
伝送ゲートセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
角田 嘉宏 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364287
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163151
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【目的】 六段の拡散領域と6トランジスタに共通のゲートポリシリコン配線を用いて,パストランジスタ論理の構成要素となる小面積のセルを得る。【構成】 6段の拡散領域11〜16上にPMOSトランジスタ1〜4,9とNMOSトランジスタ5〜8,10を設け,このときゲートポリシリコン配線17を6トランジスタに共有させる構造とし,これらにより4個のCMOS伝送ゲートと1個のインバータからなる2回路セレクタの小面積セルを構成する。
請求項（抜粋）：
CMOSプロセスによるLSIの構成要素として用いるセルであって,P型MOSトランジスタを形成するためのウェル(19)を1個有するものにおいて,セルレイアウト図面上で該ウェル(19)を上方に配置したとき,該ウェル(19)の内部にP型MOSトランジスタ形成用の第一の拡散領域(11)と第二の拡散領域(12)を有しかつ該第二の拡散領域(12)が該第一の拡散領域(11)の下方に位置し,さらに該ウェル(19)の外部でかつ該ウェル(19)の下方にN型MOSトランジスタ形成用の第三の拡散領域(13)と第四の拡散領域(14)を有しかつ該第四の拡散領域(14)が該第三の拡散領域(13)の下方に位置することを第一の特徴とし,該第一の拡散領域(11)上に互いに隣接する2個のP型MOSトランジスタ(1,2)を有し,該第二の拡散領域(12)上に互いに隣接する2個のP型MOSトランジスタ(3,4)を有し,該第三の拡散領域(13)上に互いに隣接する2個のN型MOSトランジスタ(5,6)を有し,該第四の拡散領域(14)上に互いに隣接する2個のN型MOSトランジスタ(7,8)を有し,かつP型MOSトランジスタ(1)の下方にP型MOSトランジスタ(3)が位置し,P型MOSトランジスタ(3)の下方にN型MOSトランジスタ(5)が位置し,N型MOSトランジスタ(5)の下方にN型MOSトランジスタ(7)が位置し,さらにP型MOSトランジスタ(2)の下方にP型MOSトランジスタ(4)が位置し,P型MOSトランジスタ(4)の下方にN型MOSトランジスタ(6)が位置し,N型MOSトランジスタ(6)の下方にN型MOSトランジスタ(8)が位置することを第二の特徴とし,P型MOSトランジスタ(1)のゲート入力とP型MOSトランジスタ(3)のゲート入力とN型MOSトランジスタ(6)のゲート入力とN型MOSトランジスタ(8)のゲート入力の間に第一のゲート間相互結線を有し,P型MOSトランジスタ(2)のゲート入力とP型MOSトランジスタ(4)のゲート入力とN型MOSトランジスタ(5)のゲート入力とN型MOSトランジスタ(7)のゲート入力の間に第二のゲート間相互結線を有することを第三の特徴とし,P型MOSトランジスタ(1)のソースドレイン領域とN型MOSトランジスタ(7)のソースドレイン領域のうち互いに上下の位置関係にある領域同士を結線することで第一のCMOS伝送ゲート(21)を構成し,P型MOSトランジスタ(2)のソースドレイン領域とN型MOSトランジスタ(8)のソースドレイン領域のうち互いに上下の位置関係にある領域同士を結線することで第二のCMOS伝送ゲート(22)を構成し,P型MOSトランジスタ(3)のソースドレイン領域とN型MOSトランジスタ(5)のソースドレイン領域のうち互いに上下の位置関係にある領域同士を結線することで第三のCMOS伝送ゲート(23)を構成し,P型MOSトランジスタ(4)のソースドレイン領域とN型MOSトランジスタ(6)のソースドレイン領域のうち互いに上下の位置関係にある領域同士を結線することで第四のCMOS伝送ゲート(24)を構成することを第四の特徴とし,以上により該第一のCMOS伝送ゲート(21)と該第二のCMOS伝送ゲート(22)が第一の2入力1出力選択スイッチ(25)を構成し,該第三のCMOS伝送ゲート(23)と該第四のCMOS伝送ゲート(24)が第二の2入力1出力選択スイッチ(26)を構成し,さらに該第一のゲート間相互結線が該第一の2入力1出力選択スイッチ(25)および該第二の2入力1出力選択スイッチ(26)に共通する第一の選択入力線(27)を構成し,該第二のゲート間相互結線が該第一の2入力1出力選択スイッチ(25)および該第二の2入力1出力選択スイッチ(26)に共通する第二の選択入力線(28)を構成した伝送ゲートセル。
IPC (3件)：
H01L 21/82
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 21/82 D
, H01L 27/08 321 J
